整流二极管是由半导体锗或硅等材料构成，主要用于将交流电转变为直流电的半导体器件。其最大的特性就是单向导电性，即反向击穿电压很高，电流基本只能从正极流入，负极流出。硅整流二极管反向击穿电压高、最大电流大、反向漏电流小、高温性能较好、工作频率较低（一般在几十KHz以下）。整流二极管一般应用于低频半波整流电路中，只有连接起来组成整流桥则可达到全波段整流。

       整流二极管的技术参数：

1、最大整流电流(IF)，二极管正常工作时的最大电流。

2、最高反向电压(VR)，二极管被允许施加的最大电压，若电压高于此值则二极管反向漏电流剧增，持续会导致二极管被击穿。

3、最大反向电流(IR)，二极管在最大反向电压下允许通过的最大反向电流，此值越小越好。

4、击穿电压(VB)，二极管被反向击穿的电压。

5、最高工作频率(FM)，二极管正常工作的最高频率。

6、反向恢复时间(TRR)，在规定条件下的反向恢复时间。

7、零偏压电容(CO)，二极管中间的电容值。

       广大客户在整流二极管的选型中请认真对照上述参数，以免在使用过程中造成不必要的麻烦。

       长电二极管，整流二极管系列型号及参数表：

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