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长电MOS管系列

产品名称:长电MOS管系列

所属类别:长电MOS管系列

产品简介:佳益电子科技代理长电MOSFET系列产品,库存大量场效应晶体管、MOS管,原装正品,联系电话:13929253003.

详细介绍

       MOSFET中文名称金属-氧化物半导体场效应晶体管,也是我们常说的MOS管。MOS管因为极性的不同又可分为N型和P型两种MOS,也是增强型MOS管,简称NMOS和PMOS。

       MOS管通常起到一个控制输出电流的作用,通过放大在输入端电流或电压的微小变化来控制输出端电流的变化。

       MOS管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

       在实际应用中,NMOS的Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

       佳益电子代理长电科技有各类型MOS管200多种型号,常见封装有SOT-23、SOT-89、TO-126、TO-220、SOP8、TO-263、TO-251等等。

       因产品型号过多,详细型号及参数资料请联系我司客服!

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