我们所知道的第一代半导体是硅（Si）、锗（Ge），锗主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中，但由于耐热和抗压行差，后续被硅材料所取代，现今硅材料主要作为基础材料来制作电子产品。第二代半导体材料是砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），更新换代的材料比第一代的硅拥有更加优秀的性能，适合用于大功率、高速等发光元器件，被广泛运用于通信领域。

那什么是第三代半导体呢？第三代半导体材料主要是以新兴材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带的半导体材料。因其拥有更宽的禁带宽度、更高的导热率、抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，技术可以实现电子浓度和运动控制，更符合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。例如小米120W快充电源适配器，就是利用了第三代半导体材料氮化镓（GaN）大功率、高效能量转化的特点，最快速度可以在20分钟将手机电量充满，赢得市场的青睐。

第三代半导体也与绿色低碳、智慧经济等国家重大战略要求观念相符，现在已成为全世界半导体技术和产业新的关注核心，在国家相关政策的扶持帮助下，我国的第三代半导体产业已经逐渐形成，不少传统的半导体企业都在布局第三代半导体的领域，不断创新发展。

值得注意的是，第三代半导体并不是取代了第一、二代半导体材料，它们三者应用在不同领域不同产品上各有各的优点，集合在一起又是互补的关系。